産総研が確立した標準的なトランジスタ試作条件をもとに、国内企業や大学などが独自のプロセス技術開発を行い本パイロットラインにおける試作を実施することにより、独自プロセスを適用した最先端トランジスタ構造の性能面での良否を評価することが可能となります（概要図）。

生成AI向けプロセッサの需要拡大を背景に、ロジック半導体のプロセス微細化競争が新たな局面に入ってきた。2nmプロセスでの量産がTSMCによって2025年末にアナウンスされ、次世代として1.6nmプロセスや1.4nmプロセス、そして1.0nmプロセスの実現に向けた研究開発が推進されるようになっており、「オングストローム時代」へと本格的に移行しつつある。

300 mmウエハーの共用パイロットラインで新規装置・材料の技術検証が可能に 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (以下「産総研」という) 先端半導体研究センターは、NEDO（国立研究開発 ...

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GAA構造トランジスタの試作に必要な要素プロセスを統合し、一連の製造工程を実施して試作を行い、その動作を確認しました（図2）。ゲート電極の断面電子顕微鏡写真よりシリコンナノシートの周りをゲート絶縁膜とゲート電極が取り囲んでいる形状が、ソース・チャネル・ドレインを横切る ...

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